The Impact of Electro-Thermal Effects and Circuit Parasitic Parameters on the Switching Performance of Gallium Nitride (GaN)-Based HEMTs Under Varying Operating Conditions

زبان مقاله : انگلیسی
محل انتشار : trical Engineering, Electronics, and Smart Networks (Zurich, Switzerland)17th International Conference on Elec
آدرس وب سایت کنفرانس : https://eesconf.ir/17th
ارسال کننده : آرش عزیزپور
کد IOI مقاله : ACGD-ACABDG
لینک مستقیم مقاله : https://isnac.ir/ACGD-ACABDG

نوع خدمات درخواستی

pdf

پس از پرداخت هزینه فایل مقاله برای شما قابل دانلود خواهد بود.

۱۵۰ هزار تومان

پس از پرداخت گواهی دیجیتال مقاله فوق قابل دانلود بوده و همچنین به آدرس ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.

۶۲۰ هزار تومان

در صورت سفارش این گواهی، گواهی چاپی نمایه این مقاله در شبکه علمی ایران بصورت پستی به آدرس شما ارسال خواهد شد

۱ میلیون و۱۰۰ هزار تومان
لوح نمایه مقاله

لوح نمایه مقاله در شبکه علمی ایران مطابق تصویر پس از سفارش حداکثر تا 4 روز پس از سفارش تحویل پست خواهد شد.

۲ میلیون و ۹۰۰ هزار تومان

نمایه مقاله و در یافت کد DOI حداکثر در 2 روز کاری انجام خواهد شد.

۲ میلیون و ۷۰۰ هزار تومان
توجه
* برای پیگیری سفارش از لینک https://isnac.ir/orders/tracking اقدام نمایید.
* برای ثبت سفارش گواهینامه پرکردن تمامی فیلد ها اجباری می باشد.لطفا قبل از پرداخت مشخصات گواهی را چک نمایید.
* گواهی پس از پرداخت قابل دانلود خواهد بود.
* لوح و گواهینامه چاپی 7 روز کاری پس از سفارش ارسال خواهد شد..